1.GDT(陶瓷放電管)

GDT有單極和三極兩種方式。三極GDT是一個看似簡單的器件，能在大難臨頭的關鍵時辰堅持一個差分線對的均衡：少許的不對稱能夠使瞬變脈沖優(yōu)先耦合到均衡饋線的某一側，因此產(chǎn)生一個宏大的差分信號。即便瞬變事情對稱地發(fā)作在均衡饋線上，兩個維護器件響應特性的微小差異也會使一個毀壞性的脈沖振幅呈現(xiàn)在系統(tǒng)的輸入端上。三極GDT在一個具有共用容積的管內(nèi)提供一個差分器件和兩個并聯(lián)器件。形成一對電極導通的任何條件都會使一切三個電極之間導通，由于的狀態(tài)(絕緣狀態(tài)、電離狀態(tài)或等離子狀態(tài))決議了放電管的行為。

在正常的工作條件下，一只GDT的并聯(lián)阻抗約為1TΩ ，并聯(lián)電容為1pF以下。當施加在GDT兩端的電勢低于電離電壓(即“輝光"電壓)時，GDT的小漏電流(典型值小于1 pA)和小電容簡直不發(fā)作變化。一旦GDT到達輝光電壓，其并聯(lián)阻抗將急劇降落，從而電流流過。不時增加的電流使大量構成等離子體，等離子體又使該器件上的電壓進一步降低至15V左右。當瞬變源不再繼續(xù)提供等離子電流時，等離子體就自動消逝。GDT的凈效果是一種消弧作用，它能在1ms內(nèi)將瞬變事情期間的電壓限制在大約15V以下。GDT的一個主要優(yōu)點是迫使大局部能量耗費在瞬變的源阻抗中，而不是耗費在維護器件或被維護的電路中。GDT的觸發(fā)電壓由信號電壓的上升速率(dV/dt)、GDT的電極距離、類型以及壓力共同肯定。該器件能夠接受高達20 kA的電流。

2.MOV(壓敏電阻)

它是一種是隨電壓而變化的非線性電阻器。燒結的金屬氧化物構成一種猶如兩個背對背串接的齊納二極管的構造。在正常工作狀況下，MOV的典型漏電流為10 mA量級，并聯(lián)電容約為45 pF。電壓升高到超越MOV閾值，就會使其中一個散布式齊納二極管產(chǎn)生雪崩，因此使該器件對被維護的節(jié)點停止箝位。不時增加的電流最終使器件兩端的電壓上升——這是大多數(shù)批量資料都有的一個限制要素。

作為一種箝位器件，MOV能大量吸收瞬變能量，而放電管則將瞬變能量耗散在瞬變源阻抗以及瞬變源與被維護節(jié)點之間的電阻中。在允許MOV的漏電和并聯(lián)電容的應用場所(如電源、POTS和工業(yè)傳感器)，MOV可配合GDT，對閃電惹起的瞬變停止良好的二次防護，由于MOV的觸發(fā)速度要比等離子體避雷器快一個數(shù)量級。重復呈現(xiàn)的過熱應力的累積會使MOV過熱，降低其性能。因而，務必認真剖析你打算支持的瞬變標準，肯定你請求MOV吸收的總能量和最壞狀況下的瞬變反復率，激進地制定器件的規(guī)格。

3.TVS(瞬變電壓制制器)

一個TVS的并聯(lián)電容通常只要幾十皮法，但有些新的TVS的并聯(lián)電容增加了不到10 pF。電壓的TVS，其漏電流常常為100mA以上，而工作電壓為12V以上的TVS，其漏電流則為5mA以下。當前TVS的開展趨向是進步集成度，支持高密度便攜設備。在芯片尺寸封裝中包含多個器件，使節(jié)點間隙更好地匹配被維護的IC或接口銜接器。集成的TVS與EMI濾波器可在一個封裝內(nèi)完成兩個關鍵任務，并可簡化經(jīng)過I/O口布放總線的工作。多個TVS封裝因其小巧而成為高密度組件中最常見的維護器件。